甫于10月中与海力士（hynix）共同于无锡宣布合资成立12寸厂，正式采用80奈米制程技术量产ddrii的意法半导体（stmicroelectronics），于23日又再度传出将进一步扩大策略合作关系，将与三星电子（samsung electronics）共同签订onenand型快闪记忆体（flash）技术授权合约。
意法与海力士合资的无锡12寸厂正式进入量产阶段，初步将采用80奈米制程投产ddrii，月产能在年底将拉高至1.5万片，而此讯息在发布后不到2周，市场上又传出意法将与三星策略联盟，三星将授权意法量产onenand型flash商品，估计最快可在2007年初左右正式投产。
市场人士认为，意法之所以会如此积极找寻策略合作伙伴，事实上与7月半导体设备展时，意法市场策略副总裁guy dubois的说法有关，dubois当时表示，寻求伙伴共同承担研发费用、建厂成本是大势所趋，尽管idm业者与晶圆代工厂模式不同，未来会持续贯彻结盟策略，推行“一夫多妻”（polygamy）的独特idm模式（unique idm）。
分析师认为，意法与三星结盟，最主要还是着眼于未来能提供客户端一次购足的服务。仔细观察意法目前所拥有的产品线，在flash部份已拥有大量生产nor型flash经验与产能，对于手机客户而言，nor型flash是1项相当重要产品，但由于未来手机愈来愈强调多媒体功能，也就是说对于储存部份需求同样与日俱增，也因此使得意法对于nand型flash产品需求度也相当强劲。
因此，意法选择与海力士共同出资，在无锡成立12寸晶圆厂，虽说目前12寸厂主要还是用在dram，但紧接着也将陆续导入nand 型flash投产，这部份将可满足意法对nand型flash的需求，不过，nand与nor型flash结合的商品也是未来手持式装置必备的零组件之一，这部份对意法而言，确实是其所欠缺部份，而要在短时间内取得这样商品，最快方式便是取得其余半导体厂技术授权。
如此一来，将可使得意法快速进入此一领域，意法虽曾表示，开发nand与nor型flash结合在一起商品并不困难，但重要的是要有客户需求，如今看来在终端商品部份确实愈来愈需要此一种类商品，而在此时能够取得三星技术授权，一般认为将会是最有效率方式。
