根据韩国媒体korea times报道，存储器大厂海力士（hynix）在66纳米工艺技术的dram研发进度几近于完成阶段，进度超过其对手全球最大存储器厂三星电子（samsung electronics），目前2家公司都有采用80纳米工艺技术产制dram，而三星电子积极开发70纳米工艺技术，海力士则是转往与65纳米接近的66纳米工艺技术开发。
报道中指出，这是海力士首度在研发竞赛上领先三星。海力士采用66纳米工艺技术打造的1gb容量dram芯片已经产制出样品，将是目前产制dram技术中最细致的工艺。三星与海力士过去一向存在著一道技术鸿沟，但近年2家公司的研发差距转小，三星电子在2005年开始发展70纳米工艺技术，而海力士则在2006年展开66纳米工艺的开发。
海力士发言人透过电话对外表示，该公司尚未完全66纳米工艺的所以开发阶段，但目前已经能够产制样品，处于最后研发阶段，几近于完成，而正式量产的时程尚未决定。
在nand型flash方面，采用更先进工艺技术的难度较低，早在2006年7月，三星电子已经能够量产60纳米工艺的nand型flash，但在dram的量产上还只能运用到80纳米工艺，其70纳米工艺技术虽然已经开发，但尚未确定量产时程。不但如此，近日因为先进工艺良率问题，日、韩厂均有产能吃紧必须调配较低阶制程以因应市场需求的情形，dram的先进工艺虽然可以降低成本并提高产量，同时耗电与效率都会有改善，但要完全产制顺遂，仍待业界努力。
海力士策略计划资深副总裁o. c. kwon指出，由于微软（microsoft）新操作系统上市vista在即，市场对于dram的需求有增无减，原本先前该公司预估2006年dram价格会下跌三成，但目前看来只有二成。根据市场调查机构dataquest的预估，全球dram市场将从2006年的287亿美元，增长到322亿美元。
