厌倦了总是坐在nand闪存的靠边位置，台湾地区内存制造商继续向这一欣欣向荣的业务领域大举进攻。
台湾地区dram制造商南亚、 powerchip和promos数年来发表了各式各样的关于杀入nand市场的隆重声明，但没有展现任何战绩。很明显，这些dram供应商入市时机已晚，主要是因为它们缺乏必要的专利和技术。
因此，台湾地区看起来正朝向更安全的闪存代工策略，这样，供应商可以为其它公司制造部件。目前至少有两家雄心勃勃的台湾地区企业期望在nand市场留下自己的印记。
powerchip semiconductor公司今年早些时候被授权售卖一种nand部件产品系列ag-and，基于日本瑞萨科技的技术。瑞萨早前声称将退出nand市场。但更大的进展来自dram专业公司promos technologies inc.，该公司宣称已“试生产”据称是台湾地区首款专有的nand闪存部件。promos自主设计的1gb nand部件基于130nm工艺，由该公司的200mm厂生产。
该技术角逐起竞争来还远远不够，但promos计划加快研发成效快步追上。 gartner公司分析师ben lee表示：“在2007年上半年之前promos没有量产130nm nand闪存芯片的计划。为响应市场需求，promos将在其300纳米生产厂内推出大于16gb存储芯片的亚60nm制造。”
台湾地区厂商能否与hynix、im flash、三星、东芝及其它nand厂商相抗衡，目前还不清楚。然而分析师表示，如同dram一样，台湾地区有望成为nand的利基玩家。或者，机会主义的台湾地区供应商可能会猜测当前会出现可怕的nand降价风波而延迟进入。
