6月17日消息，内存大厂美光科技（micron）近来可说是“重flash、轻dram”，就连最新的12英寸晶圆厂中，也是将快闪内存（nand型flash）列为首要量产项目。据了解，几个月前美光已开始采用12英寸厂投片nand型flash，6月起美光12英寸厂将量产近百万颗的2gbnand型flash，而除了nand型flash外，美光也同时加码另一非内存（non-memory）产品的投片量，影像感测元件（cmosimagesensor）产品亦将同时采用12英寸厂量产。
过去美光大多以8英寸厂量产nand型flash，由于8英寸厂设备大多已折旧摊提完毕，因此生产nand型flash成本上较具竞争优势；然而，因8英寸厂设备大多较为老旧，因此对于美光而言，若要继续采用8英寸厂投片标准型dram颗粒，反而较无竞争优势，因此8英寸厂最佳投产商品便落在nand型flash身上。
不过，随着美光推出的nand型flash，已不再像过去一样属于较低容量的规格，美光已开始将主力产品推进至2gb规格，因此必须采用较为先进12英寸厂生产；再者，其他竞争对手如三星电子（samsungelectronics）、东芝（toshiba）及海力士（hynix），均已开始用12英寸厂投产nand型flash，因此对于美光而言，以12英寸厂投产nand型flash势在必行。
据熟悉美光内部的人士表示，几个月前美光已开始以12英寸厂投产nand型flash，而依目前美光12英寸厂产能约达2万片规模来计算，当中将有15％左右、约3,000片的产能会用于投产nand型flash，而以每片12英寸晶圆能生产的nand型flash颗粒约达300多颗来计算，美光6月将产出近百万颗的nand型flash。 也因为以12英寸厂投产nand型flash，采用的是最先进的制程技术，因此对于美光而言，也会将最新的2gb产品以12英寸厂投片，市场认为，一旦这批2gbnand型flash开始全面供应到市场上，势必会对2gbnand型flash产品价格再度形成一定程度的压力。
而这样的结果，也与日前创见董事长束崇万认为的一样，在新加入的nand型flash供应商供给逐渐增加，加上上游产能全数开出之下，第二季（q2）nand型flash价格将有一定程度的压缩，q3将有跌价压力。
美光日前曾表示，2005年美光的营运重点，将放在非标准型dram颗粒以外产品，除了nand型flash外，cmosimagesensor也会是重要的营运项目，因此美光除了继续于8英寸厂投单外，12英寸厂目前也已有部分产能开始加入投片行列，因此未来美光将可望再度提供客户端更有成本竞争优势的cis产品。
