三星电子（samsung electronics）半导体事业群总裁黄昌圭于21日举行的行动解决方案年度论坛（mobile solution fourm）中表示，并不认同市场分析师对2006年全球nand型快闪记忆体（flash）恐将供过于求的看法。他表示，即便全球各大国际dram厂，前仆后继将dram产能转投nand型flash，但市场需求却也随着之增加，目前可看到的是在行动化产品市场增加，对nand型flash需求也快速拉高，因此他个人并不担心供过于求的问题。
三星于21日在台举办第三届行动解决方案年度论坛，希望进一步推广旗下nand型flash及特殊型记忆体市场，并由黄昌圭亲自来台发表市场最新看法及趋势，所有国内dram模组厂及三星于台湾的代理商均齐聚一堂。三星于2005年在全球标准型dram市场占有率约32％，然三星表示，虽注重nand型flash市场，但不会因而失去dram市占率，估计2006年仍高达33％，至于nand型flash同样独霸市场，2005年市占率56％，2006年也将预期至少维持在50％以上。
黄昌圭表示，大多市场分析师均认为nand型flash市场恐将供过于求，目前看来，要避免nand型flash市场价格下跌已不太可能，但市场却也随着行动装置采用嵌入式nand型flash的比重越来越高，加上手机、mp3等通讯及消费性产品搭载nand型flash容量愈来愈高，2006年全球nand型flash市场需求依然相当强劲，并不会有所谓供过于求的状态出现。
黄昌圭认为2006年应该是行动化产品相当不错的1年，且这样的趋势将会一直持续下去，他表示行动新热潮已在全球发烧，更多行动装置会将加入过去pc上的功能，更重要的是，部份重要的功能甚至会独立出来发展成为另一单机模式，这部份对于nand型flash市场需求也将一并扩增。
三星认为，以往全球记忆体产业由dram主导，每隔4～5年便就会出现1次dram产业的大波动，但如今由于行动化产品对记忆体需求增加，也就是对于nand型flash及特殊型记忆体需求增加，进而影响过去记忆体周期性变化，此变化已成为线性成长的明显态势。三星预估，2006年行动化产品搭载记忆体的容量将由2005年的160mb提高到218mb，预期2007年将成长至310mb，2008年时则将上看364mb。
为了降低nand型flash制造成本，三星在制程技术上相当努力，2005年已由0.10微米转进0.09微米制程，到了2006年将更进一步换为采用0.08微米制程，2007年预期可望转进到0.07微米制程，为的便是希望在价格及产能上较竞争对手更有优势。
由于相关产品对记忆体高容量、省电及效能需求相对提高，三星认为过去nor型flash搭配sram的记忆体方案，将逐渐由nand型flash取而代之。
