通过联合攻关，由欧洲委员会资助从事极端远紫外光刻工艺(euvl)开发的more moore项目组的三家合作方，已经创造了一种能够对样品不产生破坏作用的、测量小到20nm的特征尺寸的光致电子显微镜。这三家合作方分别是仪器制造商focus gmbh和bielefeld大学和mainz大学。
该小组鉴别了埋藏在光罩基底(mask blank)多层被覆下面的50nm缺陷。在euvl中，“光罩基底检查”需要保持样品在检查过程中完整无缺。该小组说，迄今为止，还没有人能够做到这一点。常见的方法如扫描电显微镜不能识别隐藏在euvl光罩基底的多层被覆下面的缺陷。 因而三个合作方表示，他们的进展是“euv技术迈出的重要一步”。
欧洲委员会资助more moore项目三年，共计2325万欧元，预计2006年底结束。
该项目由asml领导，其目标是解决euvl的技术问题，以便该技术能够被及时地引入到量产之中。介入此项目的其它公司包括：phystex、zeiss、amtc、philips euv、xtreme technologies、sigma-c、az electronic materials、schott lithotec和philips；参与项目的学术和研究机构包括：imec、cea leti、cnrs、tno、fraunhofer研究所以及bielefeld、mainz、delft和birmingham大学。
去年底，xtreme technologies表示，它已经在提高euv光源的功率输出中超越了项目规定的目标要求。这家德国公司声称，它开发了一种800w的euv光源；开始时他们用大约120w的光源做了原理实验。对于在量产中使用的euv，输出功率到2010年必须达到大约1000w。这个euv光源也是more moore项目的组成部分。
