东芝和美国sandisk为了提高nand型闪存的生产能力，决定追加投资共计1200亿日元（英文发布资料）。东芝为630亿日元，sandisk约为5亿美元，投资额大体上各占一半。两公司已于2005年10月进行了追加投资，不过为了满足闪存的旺盛需求，此次提高了投资额。“随需求增长追加投资，主要是为了保持目前的市场份额”（东芝公关室）。
投资对象为2005年2月竣工的四日市300mm晶圆工厂“fab3”。在2005年10月制定的计划中，打算在2007年3月之前将生能力提高到月产4万8750枚。而此次则计划将其增加到月产7万枚。通过此次投资，fab3无尘车间的面积利用率将达到70％。如果按这一速度增加设备，到2008年fab3就需要继续建设新的厂房。
将在进行设备投资的同时推进生产工艺的微细化。今后300mm晶圆生产线也将能够使用已导入200mm晶圆生线的70nm工艺生产技术。另外，在2006年度下半年，还将向52nm工艺过渡。
东芝将从该公司的净现金流（free cash flow）支出此次630亿日元的投资，将计入2005财年第4季度的结算中。这样，2005年度该公司在半导体业务方面的设备投资费用将共计达到2890亿日元。而sandisk则打算从外部筹集其负担的5亿美元中的一部分。
