美光科技公司已开发出多芯片封装(mcp)内存系列，把低功率dram和imflash technology公司(美光与英特尔的合资企业)的nand闪存整合在一起。该mcp的目标应用瞄准智能手机。
与此同时，sst公司的mcp产品中包含32mb sst闪存和4mb、8mb或16mb的伪sram，瞄准在发展中国家持续畅销的语音手机市场。
尽管大部分蜂窝手机继续以nor闪存来存储代码，但在数据密集型手机市场中，使用nand存储代码和数据的手机份额正在增长。代码是在启动过程中被上载到dram的。
“我们相信，大多数功能丰富的手机都将会变成以nand为中心。”美光公司mcp市场经理gavin hagen表示。
首批美光mcp采用72纳米工艺的1gb nand。美光的发展蓝图包括在今年底推出2gb nand。而低功率dram容量为512mb。
美光已开发出一种低功率dram技术，即采用双晶体管/单电容架构的endur-ic。较之传统的单晶体管/单电容(1t/1c)架构，该方案为移动用户提供了更高的可靠性，美光移动存储部门高级行销总监achim hill说。
目前市面上包含nand器件的mcp按封装方案分为两类，即三星支持的球布局(ball layout)和东芝创建的球阵列(ball array)。美光mcp属后者。
美光mcp评估版已完成，全面量产预计在今年第四季度开始。
同时，sst的器件采用一种双库(dual-bank)设计，在一组读或写的同时另一组可被擦除或编程，从而提高了擦除性能，该公司特殊产品副总裁paul liu表示。
根据市场调研公司web-feet research的统计,只传输语音的手机在全球市场的占有率预计保持在30%左右，价值70亿美元。在中国、印度和其它新兴市场，语音手机将继续代表手机的主流趋势，因此，sst的市场份额还将继续增长。
作者：来大伟
