日本东芝(toshiba)将从8月份开始量产最大搭载2gb nand快闪记忆体(flash)的mcp记忆体，锁定手机应用。该mcp记忆体是在针对传统型手机的mcp记忆体(lp sdram＋nand快闪记忆体或psram＋nor快闪记忆体等)中，搭载支援sd卡介面的控制器和gb级nand快闪记忆体(8gb多层nand快闪记忆体)。
东芝表示，这种新产品可以根据用户需求，将作为工作记忆体的lp sdram、作为保存程式用记忆体的nand快闪记忆体，以及作为保存用户数据用记忆体的gb级nand快闪记忆体进行各种组合使用。而该公司计划今后还要开发和psram及nor快闪记忆体的组合。
近年来，手机中不断搭载高画素数位相机功能、音乐播放器功能等，需要使用大容量储存媒介来保存照片、音乐数据。而且，高速处理图片、录影及游戏等大容量数据的要求越来越强烈，但另一方面必须要将这些功能安装在有限的空间内，因此对于多层mcp产品的需求越来越高。
为满足这些市场需求，东芝在传统的mcp记忆体内搭载大容量nand快闪记忆体和sd卡控制器，并且将这些记忆体元件存放在1个封装内，因而实现了大容量、节省空间的mcp产品。
