hittite microwave corporation不久前推出该公司首批宽波段、极低噪声分布式mmic放大器，适用于2~18ghz范围内的军事、航空、测试设备和光纤应用。
hmc606、hmc606lc5为gaas ingap hbt mmic分布式放大器，其典型小信号增益为13.5 db，中波段下输入和输出回波损耗为20 db。与基于fet的同类分布式放大器相比，这两款放大器的相位噪声性能有很大改进。
当在输入端加频率为4 ghz的-1dbm信号时，hmc606和hmc606lc5的相位噪声分别为-153 dbc/hz@1 khz和-157 dbc/hz@1 khz,偏移量为10 khz；在输入端加频率为12 ghz的-2 dbm输入信号，hmc606 和hmc606lc5的相位噪声分别为-151@1 khz和-160 dbc/hz@1 khz，偏移量为10 khz。hmc606和hmc606lc5的中波段噪声系数为4.5 db、输出p1db/+15 dbm。因其所采用的偏置拓扑，仅从单个+5v 电源消耗64ma电流。
hmc606和hmc606lc5适用于频率合成器应用，也可与hittite的一系列倍频器和vco产品协同架构高性能lo分布式和多用途链路。hmc606lc5采用5 x 5 mm陶瓷无引线表面贴着封装，适用温度等级为-40℃~+85℃。有适用于混合型mic和mcm组件应用的hmc606 die（芯片），其适用温度等级为-55℃ ~+85℃。die、smt和评估pc板现皆有库存。详细使用手册可从www.hittite.com下载。
