据外电报道，市场消息灵通人士称，由于客户反馈性能良好，英特尔公司和美光科技公司最近向现货市场推出了8gb 闪存芯片。这些芯片是在它们的合资企业im flash technologies公司制造的。
消息灵通人士表示，英特尔公司和美光科技公司8gb 闪存芯片采用了90纳米制造工艺，每个芯片由四个单一的2gb 芯片堆叠组成后使它的储存容量达到8gb。消息灵通人士说，尽管合资工厂中的制造工艺落后于竞争对手，但它们的产品仍然继续收到了客户满意的反馈。
但这个消息灵通人士不能够详细说明英特尔公司和美光科技公司推出多层式储存格(mlc)或单层式储存格(slc)的8gb闪存芯片的时间表。
来自其他方面的消息称，英特尔公司将在今年下半年开发出多层式储存格8gb闪存芯片的样品，明年中期多层式储存格8gb闪存芯片将实现量产。
