中国科学院物理所王建涛副研究员、王恩哥研究员、王鼎盛研究员及其合作者在硅表面纳米团簇的分解扩散机理研究方面取得新进展，他们详细地研究了bi4和sb4纳米团簇在si(001)表面上的结构稳定性、分解扩散路径，提出了“two-stage double piecewise rotation”分解新机制，揭示了表面吸附原子(活性剂)和衬底之间的反应机理。相关结果发表在美国《物理评论快报》上，并被virtual journal of nanoscale science & technology收录。
硅半导体表面重构以及表面吸附原子在硅表面上的自组装研究是理论和实验科学工作者长期以来共同关注的重要课题之一。第v族元素bi、sb、as作为表面活性剂不仅在ge/si分子束外延生长中起着重要作用，而且其自身在硅表面上可自组装生成200-500纳米长、1.5纳米宽的bi,sb纳米线。这些新型纳米线的成功制备为构筑纳米光电子与分子器件的结构单元提供了重要技术支持。
近年来，王建涛及其合作者致力于硅表面纳米线的结构[phys. rev. b 67, 193307 (2003)]和形成机理[phys. rev. lett. 94, 226103 (2005)]研究。这些研究成果为在半导体硅表面上制备量子点或量子线提供了重要理论支撑，对理解硅表面重构及有关物性具有广泛的科学意义。
该工作得到了国家自然科学基金委和国家人事部留学回国人员择优资助项目的支持。
