nec electronicsamerica公司近日为其低压电源管理器件(pmd)家族新推两款功率mosfet—upa2450b和upa2451b。
据介绍，该双n沟道mosfet采用了nec electronics先进的封装技术，外形低平，尺寸仅为2.1mm×5.1mm×0.8mm，有助于设计人员减小系统空间。两款mosfet均具有薄封装和低功耗等特性，适用于mp3、移动无线设备等电池供电的便携产品。
该器件基于nec的cmos 4工艺技术制造，具有更高的转换效率和更小的尺寸。4.5v栅极驱动以及vdss在20v至30v时，其导通阻抗为12.5mω。该器件能延长便携应用的电池使用时间，集成的栅极保护二极管可降低整个系统成本并缩小外形尺寸。
