旺宏电子(macronix)目前正致力于开发一种闪存结构，该公司相信，此举将能消弭当前浮动栅技术在45纳米节点所遭遇的障碍。
旺宏的‘be-sonos’是‘硅-氧-氮-氧-硅’(sonos)公式的能隙工程改良版本。sonos已问世多年，并被视为一种比标准浮动栅极结构更好的嵌入闪存方式。
旺宏电子前瞻技术实验室经理余昭伦表示，该公司将在明年采用75纳米技术生产一款2gb的测试芯片。他认为，浮动栅nand将在2010年时达到微缩极限，届时45纳米技术的商业化也将展开。因此，旺宏电子计划开始生产芯片并提供技术授权。
由于sonos结构兼容于通用逻辑工艺，将有助于把嵌入式闪存推入各种过去必须考量成本议题的应用中。然而，泄漏问题仍然困扰着传统的sonos；同时，在多数情况下，首个氧化层也由于太薄而无法阻止穿隧效应。
过去，研究人员曾通过增加另一个氮化层使总厚度小于4纳米。这种作法提供了更好的保存性能，但却造成了更漫长的编程时间，因此这项折衷方案已证明无法被接受。
旺宏电子的be-sonos则进一步增加了氧化层和氮化层。“创新部分在于用o1-n1-o2取代了sonos中的穿隧氧化层(o1层)，因此，be-sonos实际上相当于一个sononos结构。”余昭伦表示。结果是制造出了厚度为5.3纳米的更厚电介质层。然后覆盖上一层带有电荷的7纳米厚氮化层(n2)。最后的o3层则是9纳米厚的阻挡氧化层。
由于第一层(o1-n1-o2层)的总厚度增加，资料保存能力也因而提高。但当对组件进行编程时，能带的偏移会会有效消除n1和o2的阻断特性，使电子能轻易通过o1层进入隧道。
余昭伦称，这种结构适用于nand或nor闪存，但可能会先应用在nand中。其编程以6mbps速度执行，但擦除时间为每区块3-4毫秒，比正常的2毫秒稍高一些，因此仍需持续微调。而10,000次以上的使用周期则与目前的闪存相当。
三星半导体曾在去年初针对其电荷捕获闪存(ctf)组件推出了一种类似结构。这种技术采用了由钽、氧化铝、氮化物、氧化物和硅构成的tanos架构。据称tanos象征着在nand组件中首次将金属层与高k材料结合应用。
be-sonos也是一种电荷捕获组件。但“tanos采用了新型材料，而be-sonos则完全与cmos兼容。”余昭伦说。
