nec电子和nec日前开发出一项半导体封装新技术“smafti（smart chip connection with feedthrough interposer）”，将逻辑lsi和芯片面积较大的gbit级大容量dram层叠在同一封装内，与过去相比能够以10倍以上，即100gbit/秒的速度在两芯片之间进行数据传输。如使用该技术构筑系统lsi，以手机为代表的在封装面积和耗电量方面存在制约的便携终端“将能完成与数字电视高清内容相媲美的高精细视频处理”（nec电子）。nec电子计划2007年度第1季度开始在产品中对smafti技术进行产品应用。
应用smafti的系统lsi外观
smafti的结构
smafti的实现技术大体包括3点。一是以相当于过去1/4的50μm连接间隔将逻辑lsi和大容量内存进行多点连接的小间隔焊接凸起连接技术。能够在相同的芯片面积上形成4倍于过去的焊接凸起。由此就能实现100gbit/秒的高速数据传输。在连接各芯片的焊接凸起中采用了无铅焊锡。
二是厚度仅15μm的贯通封装底板。通过结合使用线宽约为老式封装内部布线一半、即线宽为15μm的镀铜布线，和厚度为7μm的聚酰亚胺树脂，实现了超薄的封装底板。由此，不仅控制了布线的ir压降，还能在芯片间进行高密度连接。贯通封装底板的布线高度为15μm，与芯片内部的长距离布线（高为数μm）相比，可实现大截面积布线。此技术不仅有助于控制ir压降，还有助于提高数据传输速度。
三是在半导体前期工序中对层叠封装2个芯片的一系列封装组装工序进行整体处理。具体来说，就是首先在起支撑底板作用的仿真硅晶圆上配置内存芯片，对其进行封装后去除硅晶圆。在去除后的背面配置逻辑lsi，最后形成外部端子后形成bga封装。
两公司将在2006年5月30日于美国加利弗尼亚州圣迭戈市开幕的封装技术国际会议“electronic components and technology conference 2006（ectc 2006）”上发表此项开发成果。（记者：大石 基之）
