3月20日消息，英特尔官员称，英特尔和美光科技计划投资建设一个新的闪存芯片厂，生产用于mp3播放机和数码相机等流行的数码产品使用的闪存芯片。
英特尔闪存部门副总裁brian harrison表示，这两家公司组建的新的合资企业名为“im flash technologies”（im闪存技术公司），其目标是与闪存市场的龙头企业韩国的三星电子和日本的东芝展开竞争。
harrison表示，英特尔还没有决定把这个新的闪存工厂建在什么地方。不排除把这个工厂建在亚洲的可能性。他最近在接受道琼斯新闻线电话采访的时候表示，我们正在进行全球调查，因此，我们现在还不能排除在任何地方建设这个工厂的可能性。
harrison说，这个新工厂主要生产nand闪存芯片，计划在2008年年底和2009年年初投产。他补充说，英特尔在2007年之前还将提高现有的三个闪存芯片厂的生产能力。
英特尔和美光科技于去年11月宣布组建一个合资企业，以抓住nand闪存芯片市场需求强劲的商机。英特尔将占这个合资企业49%的股份，美光科技站51%的股份。
目前，这个合资企业在美国东西部的爱达荷州boise的合资工厂正在生产nand闪存芯片。harrison称，这个合资企业在今年年中将提高在佛吉尼亚州manassas的一个工厂的产量，并且在2007年提高在犹他州lehi的一个工厂的产量。
分析师称，这个合资企业需要积极提高nand闪存芯片产量，以便争夺三星电子和东芝的市场份额。三星电子和东芝目前拥有全球nand闪存市场75%以上的份额。这个市场排名第三位的韩国的海力士半导体一直在积极提高这种芯片的产量。
