三星电子负责半导体业务的总经理黄昌圭表示：“今天是韩国宣布快闪记忆体技术脱离美国、日本，实现独立的日子。”
黄昌圭11日在记者招待会上表示：“40纳米级32千兆快闪记忆体的开发，是足以掀翻世界半导体业界的大事件。”他之所以如此信心十足，是因为首次被适用在32gb快闪记忆体上的名为“charge trap flash（ctf）”的新技术。
纳米是意味着10亿分之1米的测量单位。在半导体上，体现出工程的细密度，资料越低，半导体集成度就越高。三星电子此次开发的32 gb快闪记忆体，在大拇指指甲大小的记忆体上集成了328亿个电晶体。
自1971年美国英代尔开发出非挥发性记忆体“eeprom”以后，快闪记忆体一直适用了“floating gate”技术。为了储存资讯而使用导体（导电的物体）的floating gate技术，因在各电晶体之间发生的电干扰现象，在实现半导体的超精密、高容量、高性能化上存在局限。但是三星电子此次开发出了将绝缘体用作资讯储存道具的ctf技术，克服了这种技术上的局限性。
“ctf用一句话来概括就是如‘哥白尼的鸡蛋’一样的观念转换。将电荷储存在绝缘体（不能很好地传达电或热的物体）上来提高集成度是谁都没有想到的方法。过去35年来，ibm、英代尔、东芝等世界著名的半导体企业虽然进行了相似技术的开发，却次次都失败的原因也在于此。”
三星电子以此次ctf技术，包括15项基础专利，在国内外已经获得155项专利。黄昌圭表示：“以后想要开发大容量记忆体半导体的企业，将无法脱离三星电子的ctf专利。因此，在与海外企业展开的半导体专利协商上，预计也将占据有利的高地。”
三星电子虽然在dram、快闪记忆体等记忆体半导体市场上稳坐第1把交椅，但此前由于没有基础专利，在与英代尔、东芝、ibm等展开专利税协商时，立场一直不利。三星电子期待ctf技术不仅一举推翻目前的不利局面，而且作为ctf专利技术使用费，获得最多高达数万亿韩元的附加收入。
黄昌圭表示：“在快闪记忆体技术领域，将成为脱离海外从属地位的契机。”也是出于这一原因。他表示：“ctf技术以后可以扩大适用到20纳米256gb为止，在2010年以后，将成为进入太拉（tera，1太拉为1024gb）快闪记忆体时代的基础。”
黄昌圭对三星电子以后的业绩也显示出强大的信心。他表示：“今年第3季度半导体部门的销售预计将历史上首次超过20万亿韩元，dram市场的价格强势预计也将一直保持到2009年。”
他表示：“三星电子每年投资2.8万亿韩元用于半导体的研究、开发。单是负责开发ctf之类新技术的小组就有30~40个，试想一下，在5~10年以后，将会得出怎样的开发成果。”
