继三星宣布将持续提升快闪记忆体（flash）产能，三星最新出炉的dram报价，一举将合约价明显向上调升一○％，凸显该公司本季将因dram减产，产能转进flash，所引发的供货吃紧效应，有利今年第一季dram行情淡季不淡发展。
在价格跌幅已大及通路库存水位偏低下，通路商与模组商开始为农历新年建立库存，推升dam价格出现较大反弹；其中256mb ddr400与ett价格反弹幅度约为五％至一二％，512mb ddr400与ddr2 667反弹幅度约达六％至八％。总观此波dram现货行情从去年十二月下旬至今，反弹幅度约达七％至一四％。
大陆农历新年较往年提前约一周至一月底，使无论通路商与模组商建立库存或pc oem回补库存皆必须在一月前三周完成(过年期间台湾及大陆地区停止出货)，相较过去可平均分散在四至五周补货而言较为集中，加上dram价格在第四季跌幅超过二○％，促使买盘提前在一月上旬浮现。
供给方面，mp3 player及插卡手机对nand flash需求仍相当强劲，加上nand flash毛利率仍远高于dram，dram厂商在dram价格持续下滑之际，已纷纷增加nand flash产能配置，使得dram产出成长率低于原先预期。
分析师认为，dram下游出现加温现象，库存回补dram价格反弹高于预期。
