韩国dongbu electronics称已和electronics & telecom公司共同研发出一项先进的cmos图像传感器(cis) 130nm节点加工技术。预期将在第四季度开始采用新工艺对cmos图像传感芯片进行量产。
dongbu声称，通过采用新晶圆加工工艺，cis器件的像素可达1.3m，工作电压为1.5v。在130nm工艺下生产的cis器件，其分辨率、灰度级和相对照度也得到增强。
“我们很早就意识到cis器件拥有巨大的潜在市场，但却很少有公司致力于cis加工工艺和图像质量的技术开发。”dongbu战略事务开发部执行副总裁jae song表示，“我们在四年前就成立了cis研发组，现在已经获得了20项国内外cis专利， cis现为我们的拳头产品之一”。
