三星“暂别”8千兆位NAND闪存,暗自发力4位/cell技术

据市场调研公司american technology research inc.,三星电子已推迟8千兆位nand闪存芯片的发货,但该公司正在悄悄地开发一种4位/cell nand技术。

据american technology research inc.,上述消息是三星在公布第二财季业绩时披露的,显示三星把8gbit multi-level-cell (mlc) nand发货期推迟了“一个季度”。

与此同时,三星在扩大其产品组合。american technology research的分析师satya chillara在一份报告中表示:“三星正在提出自己版本的4位/cell技术,计划在2008年投产。”

三星的技术将与以色列公司m systems flash disk pioneers ltd.和saifun semiconductors ltd.,以及其它公司进行竞争。m systems表示,它预计在2007年初开始大规模生产其最近宣布的x4 nand闪存元件。

saifun开发出了一种4位/cell技术,代号为“quad-nrom”。它已向英飞凌和spansion等厂商提供这种技术的授权。

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发布日期:2019年07月04日  所属分类:新闻动态