【enet硅谷动力消息】据electronic news报道， 英特尔(intel)的闪存事业部高管brianharrison向外界发布有关于该公司未来将如何抢占非易失性存储器non-volatile存储（nvs）市场的计划； 这个市场在2006年规模约为200亿美元，预测到了2010将增长至400亿美元。
英特尔根据nvs以91%的年消耗速度增长，再加上手机、运算各领域的应用与消耗，该公司对于抢占这个市场的目标非常有信心。在nor方面，harrison强调英特尔之前已经推出六代mlc产品，并且拥有m18系列能与90、65及45奈米node相容。在06年第四季，该公司更推出第一款65奈米1-gigabytenor芯片； 这款芯片的推出距离90奈米芯片只有一年。 在nand方面，英特尔与美光(micron)在06年7月合资的imflashtechnologies公司推出基于50纳米制程的4gnand闪存样品。
展望未来，英特尔非常看好新型态的存储体phase-changememory(pcm)将具有很高的发展潜力，因为它兼具ram、nor与nand的优点。pcm具有write-over的特性，也就是旧有的资料无需先被删除就可直接再写上新的资料。intel预定在今年第二季开始提供90纳米制程样品与标准样品，在今年底之前可能上市。
