韩国海力士半导体(hynix semiconductor)表示，将投资13亿美元于存储器芯片生产线，其中有一笔金额将用来兴建先进的nand快闪存储器(闪存)芯片生产线。
目前全球存储器芯片厂商均在提高nand芯片产能，以迎合该芯片日益增长的需求。nand芯片主要用于数码相机与音乐播放器。
海力士为全球第二大存储器芯片厂商。该公司在提交给韩国证交所的文件中表示，将投资1.26万亿韩元来扩大与升级存储器芯片生产线，以及相关的研发活动。部分资金将用来兴建采先进60纳米制程的nand芯片生产线。
海力士的投资人与公共关系部门主管james kim表示，该项投资将用来扩增12寸晶圆生产线的产能，以及投资于60纳米nand晶圆厂。这次投资所需的资金，部分来自于6月底海力士与债权人的15亿美元全球释股案所得获利。海力士并在该次于海外发行新股，集资3亿美元。
该公司一发言人士表示，该项投资是先前宣布的今年资本支出计划的一部分。
