都是苹果ipod惹的祸，引发了目前存储市场中flash芯片的火爆。随着3g时代的逐步临近以及近年来多媒体手机的发展，又将闪存芯片市场进一步推向高潮。而nand 和nor技术的发展、融合也成就了千姿百态的应用。据市场研究机构isuppli的数据显示，2005年nand闪存市场比2004年增长了64%，达到109亿美元，预计2006年nand闪存市场还将增长55%，达到168亿美元，市场容量的扩展，促使闪存芯片竞争加剧。
nand、nor交锋手机市场 随着智能手机、娱乐手机和3g手机对高容量存储需求的增加，使得nand闪存厂商一直希望通过成本和存储容量的优势打入手机市场，夺取nor闪存的地盘。目前nand闪存在手机领域取得的成功仍主要限于手机用外部扩展卡，而非手机内存。胜创董事长刘福州在接受中国电子报记者采访时指出，除手机内部所采用的闪存芯片以外，在智能手机等掌上设备中，采用存储卡的形式将是nand闪存芯片扩展市场的主要途径。而目前nor闪存仍然是手机市场难以替代的首选存储芯片。isuppli资料显示，nor闪存出货占手机嵌入式闪存出货的92.8%。
spansion2005年在nor闪存芯片市场一举冲顶，公司全球副总裁兼亚太区总经理王光伟分析，闪存市场可分为移动存储和集成存储，前者主要包括闪存卡和usb存储器，后者面向手机、消费电子和汽车。移动闪存的容量要求日益增加，目前市场主要产品在1gb-16gb之间，成本控制是面对终端市场的重要因素,而集成市场存储代码和数据，通常容量为1mb-4gb，强调可靠性和速度。王光伟指出，包括手机和其他嵌入式应用的集成市场，将由2005年的90亿美元稳定增长至2009年的140亿美元，其中，nor闪存将继续占据主导地位。
nand、nor双剑合璧 通过市场不断洗牌，nor市场仅剩下三足鼎立的局面，即便如此“三大”中的英特尔和st也都已经直接进了nand闪存市场，只有spansion固守在nor市场。不过，spansion也通过创新的产品，间接杀入nand闪存市场。
nand闪存由于存储密度高、成本低和写入性能好，被认为较nor闪存更适合数据存储，目前nand闪存的容量已经达到8gb甚至16gb。但是在手机内存方面，nand由于体积和功耗的问题，更高容量的产品目前并不会被直接采用。王光伟表示，nand闪存无法用作手机的嵌入式闪存，且手机厂商为降低整机成本和规避闪存价格波动带来的风险，也不会采用大容量的nand闪存，大容量的nand闪存只适合于外置手机存储卡，目前1gb的存储容量已经足够满足高端需求。
王光伟表示，鉴于nand和nor两种闪存产品均有不足之处，故spansion推出mirrorbitnor和ornand两种闪存解决方案，前者可以大幅度扩展nor闪存芯片的存储容量，而ornand则是spansion独特的架构，是一种具有nand接口的闪存芯片方案。这两种技术可以帮助手机制造商利用一个单一的平台来扩展他们的产品，从而缩短上市时间。
针对不同价位的收集市场，spansion提出不同解决方案，王光伟指出，对于中低端手机，spansion可以提供基于mirrorbit的nor方案闪存架构，即可满足应用需求。对于采用基带+协处理器的高端手机，spansion建议采用nor+ornand+xram的mcp存储器方案。而对于采用基带+应用处理器的智能手机，spansion建议基带采用nor+psram的mcp存储器，而应用处理器采用nor+ornand+xdram的mcp存储器。spansion公司无线业务部门中国区销售总监许冠超解释说，智能手机采用两个独立的mcp存储器是为了避免病毒等带来的风险，即使其中的一个出了问题，另一个也可以正常使用。
nand供应商格局将变 flash芯片市场在高速增长的同时，过去由三星、东芝和瑞萨科技三分天下的nand闪存市场格局也已经变化。在nand闪存上大力投资的hynix、美光科技和意法半导体终于获得了回报，2005年分别实现了525%、2875%和760%的增长。其中hynix在2005年第四季度的销售额达到了6亿美元，与东芝同期的6.8亿美元已相差不多，预计2006年东芝排名第二的位置将受到hynix的巨大威胁。相反，三大老牌nand闪存供应商的增长率只有47%、29%和23%，大大低于整体市场64%的增长率。面对nand市场惨烈局面，瑞萨科技淡然退出，将生产业务转交力晶，也造就我国台湾厂商开始进入这一战局。同时进场的还包括英特尔和美光合资的闪存企业imflashtechnologies。
im预计今年第一季度可以量产，而力晶半导体和瑞萨科技则在此前制造合作的基础上，达成了有关1gbitag-and闪存技术和销售的授权合约，新合约将允许力晶半导体以自己的品牌出售and闪存。英特尔和力晶的加入，无疑会使2006年nand闪存市场的竞争更加激烈。而东芝和sandisk也宣布，计划2007年3月前将其合资12英寸闪存工厂的产能由先前规划的48750片/月扩大至70000片/月。目前该工厂采用90纳米工艺，东芝已经在2月份引入70纳米工艺，并计划在2007年3月前引入52纳米工艺。
专家预测，目前的闪存工艺发展水平为nor采用90纳米工艺，nand采
