nanosys公司宣称，与英特尔扩展了存储器合作关系，而且美光科技也加入了合作。
nanosys曾于2004年曾宣布与英特尔合作研究化学和生物敏感的半导体材料，应用于纳米级结构，包括纳米线、纳米棒、纳米四足管和纳米点阵等，以评估研制存储器器件的潜力。
如今nanosys宣布针对诸如消费电子、便携式储存和个人通信等领域高密度nand闪存商机，开发出专有的纳米结构。该公司拥有超过450项专利和在纳米技术领域的专利应用，没有披露其纳米结构的本质，但透露美光科技将加入合作。英特尔和美光已经成立了一家合资企业im flash technologies inc.，为双方制造nand闪存。nanosys声称，其纳米技术推动的存储技术兼容当前的制造工艺和设备，但实现了更高的储存密度和单位低成本，并改进了可靠性。
nanosys首席执行官calvin chow表示：“英特尔和美光将合力协助,加快nanosys纳米结构应用到非易失性存储器件领域的开发和集成。”
