三星电子日前宣布，己率先将采用80奈米制程、资料传输率为400/533/667mbps的512mb ddr2 dram导入量产阶段，而hynix亦表示，己开发出全球首颗获intel认证、采用80奈米制程且资料传输率为667mbps/800mbps的512mb ddr2 dram，并计画于今年第2季导入量产，显示双方正展开激烈的80奈米制程dram技术龙头之争。据了解，采用80奈米制程将可较目前主力的90奈米制程提高50%的生产力，并可拉大与其他后进dram业者的技术差距。
三星电子自2003年9月起，即运用独自研发的凹槽阵列电晶体（recess channel array transistor，rcat）技术，率先将采用100奈米制程的dram导入量产，接着在2004年9月又领先全球导入90奈米制程，加上此次率先导入80奈米dram量产，已经连续3个世代成为尖端奈米制程dram技术的先驱厂商。目前三星除计画优先将市场主力产品ddr2 dram导入80奈米制程进行量产外，未来也将扩大至其他dram产品线，以强化其价格竞争力及获利率。至于去年研发出的70奈米制程dram技术,也将在今年下半年导入量产。
