cymer公司今天宣布了全球首个用于45nm沉浸微影成像术生产工艺的氟化氩(arf)气体激光源，型号xlr 500i。cymer主要为半导体生产业提供远紫外线(duv)激光源。
arf激光源通常用于产生高能量激光束，持续时间5-20ns，重复频率可达2000mhz。cymer称，与上一代产品相比，新的arf设备的能量稳定性提高了50％，成本则降低了20％以上。
沉浸微影成像术生产工艺是193nm波长远紫外线平版印刷术的下一个发展阶段，现在已经准备就绪，而该技术再向前发展就需要采用极端远紫外线(euv)，可使用13.5nm工艺印刷电路，那将是一次重大的、昂贵的芯片生产工艺转换过程。
目前，65nm工艺处理器已经大规模量产，而芯片生产商认为，到2009年左右推出32nm处理器时，必须转向极端远紫外线(euv)，不过ibm已经展示了采用duv的29.9nm工艺。
