据国外媒体报道，美国电脑芯片巨头英特尔公司周三宣布，他们即将向手机厂商交付同行业第一片基于六十五纳米工艺、采用多层单元存储技术的1g容量nor闪存芯片。
这种nor闪存芯片基于英特尔公司的strataflash架构，面向多媒体手机，比如百万像素的拍照手机、具有视频播放功能的手机等。媒体分析认为，目前，中高端手机普遍使用nand闪存芯片作为存储介质，不过，nor闪存和nand相比，在读取速度上稍占优势，再加上1g的容量，未来可能会有一些手机厂商使用英特尔公司的1g nor闪存。
英特尔公司表示，他们已经把这种闪存芯片在手机行业常见的10种芯片组中进行了测试，发现工作正常。在接口方面，这款nor闪存芯片和英特尔公司去年推出的基于九十纳米的512mb闪存保持了兼容。
据业内专家表示，和九十纳米的芯片相比，六十纳米的芯片的读取速度已经从每秒0.5 兆字节提升到1兆字节。这款芯片的读取性能也是所有nor芯片当中最好的。
据悉，这款闪存芯片将在第四季度批量交付。明年，英特尔公司还将推出六十五纳米工艺的512m、128m、256m nor闪存芯片。
和nand闪存相比，nor闪存的读取速度更快，但在写入速度方面nand要快于nor。 nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 最近几年，nand闪存逐渐变得普及，许多人认为，nor闪存将逐渐被nand替换，英特尔公司也和美观科技建立了nand闪存合资公司。此前还有报道说，英特尔公司准备将nor闪存业务转让他人。
