Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案

Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 20263月17— 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120VS-SF50SA120VS-SF100SA120VS-SF150SA120VS-SF200SA120,其目标在于提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120VS-SF50SA120VS-SF100SA120VS-SF150SA120VS-SF200SA120采用了Vishay最新一代碳化硅(SiC)MOSFET,并且以行业标准的SOT-227形式进行封装。

此次推出的每个功率模块都采用单开关和低边斩波器配置,内置的SiC MOSFET集成了软体二极管,可实现低反向恢复特性。这种设计降低了开关损耗,提高了效率,可适用于太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电器、SMPS、直流/直流转换器、不间断电源(UPS)、暖通空调(HVAC)系统、大规模电池储能系统以及通信电源设备等领域。

VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用紧凑型的SOT-227封装,使得这些器件能够作为现有设计中竞品的“即插即用”型替代方案。这样,设计人员无需对PCB布局进行更改,即可采用最新的SiC技术,从而节省成本。模压封装还可提供高达2500 V(一分钟)的电气绝缘,通过消除组件与散热器之间对额外绝缘措施的需求,进一步降低了成本。

这些功率模块提供50 A至200 A的连续漏极电流,导通电阻低至12.1 mW。这些器件符合RoHS标准,具备低电容高速开关特性,并可支持+175 °C的最高工作结温。

器件规格表:

产品编号VDSSIDRDS(ON)配置封装
VS-SF50LA1201200 V50 A43 mW低边斩波器SOT-227
VS-SF50SA12050 A47 mW单开关
VS-SF100SA120100 A23 mW单开关
VS-SF150SA120150 A16.8 mW单开关
VS-SF200SA120200 A12.1 mW单开关

VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120现可提供样品并已实现量产,供货周期为13周。 

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

The DNA of tech®是Vishay Intertechnology的商标。

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发布日期:2026年03月17日  所属分类:新品推荐  新闻动态