据ZDnet报道，三星电子宣布，已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存(eUFS)3.1。
这款新的闪存写入速度是之前的512GBeUFS3.0的三倍，达到每秒1200MB。三星表示，与使用固态硬盘或MicroSD卡的传统个人电脑相比，这将大大加快智能手机的数据传输速度。新一代闪存的串行读取速度为2100MB/s，随机读取和写入速度分别为100,000IOPS(每秒输入/输出操作)和70,000IOPS。
除了512GB容量，三星的eUFS3.1系列也将有256GB和128GB的容量。三星表示，其平泽工厂的P1生产线已经开始生产六代V-NAND。与此同时，其位于中国西安工厂的新X2生产线已经开始生产五代V-NAND。
