海，2020年7月24日 – 富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量达到FRAM产品最高水平，运作温度最高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。
这款全新FRAM是非易失性内存产品，在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助系统（ADAS）等汽车应用的最佳选择。
FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，并已量产20多年，近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。
自去年发布以来，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用，而MB85RS4MTY将其容量提高了一倍，达到4M bit，满足更高容量的需求，配有SPI接口，工作电压为1.8V至3.6V。由于这款FRAM工作电流低，即使在125℃高温下，最大工作电流仅为4mA（运作频率50MHz），最大掉电模式电流为30µA，因此有助于降低环境敏感应用的功耗。
这款全新FRAM在-40℃至+ 125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用。例如，每0.03毫秒重写一次数据，同一地址连续记录数据可达10年之久。
这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装，可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外，还提供8-pin DFN（无引线双侧扁平）封装。
富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。
关键规格
- 组件型号：MB85RS4MT
- 容量（组态）：4 Mbit（512K x 8位）
- 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
- 运作频率：最高50 MHz
- 运作电压：1.8V - 3.6V
- 运作温度范围：-40°C - +125°C
- 读/写耐久性：10兆次（1013次）
- 封装规格：8-pin DFN，8-pin SOP
词汇与备注
铁电随机存取内存（FRAM）
FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM，亦称为FeRAM。
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关于富士通电子元器件（上海）有限公司
富士通电子元器件（上海）有限公司是富士通在中国的半导体业务总部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大连等地均设有分公司，负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。
富士通电子元器件（上海）有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs （ASICs），代工服务，专用标准产品（ASSPs），铁电随机存储器，继电器，GaN（氮化镓），MCU和电源功率器件等，它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。欲了解更多信息，请访问网站：http://www.fujitsu.com/cn/fes/
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