GaN Systems HD半桥双极驱动开关评估板在贸泽开售

贸泽电子分销的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有两个HEY1011-L12C GaN FET驱动器和两个半桥配置的650 V、60 A GaN增强模式晶体管。HEY1011是一款隔离式栅极驱动器，专为驱动具有快速传播延迟和高峰值拉/灌能力的GaN FET进行了优化，适用于需要隔离、电平移位或接地隔离以实现抗噪性的高频应用。由于HEY1011驱动器不需要二次侧电源或自举组件，因此释放了宝贵的板空间，使设计更具成本效益。

为了帮助缓解栅漏电容电流的影响，GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了双极栅驱动装置。该板可以执行双脉冲测试或将半桥连接到现有LC电源段。双脉冲测试可用于安全地评估硬开关条件下电源开关的特性。

GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板适合用于开发大功率无线充电器、工业逆变器、电机驱动/VFD、数据中心、住宅储能系统以及其他电力电子应用。

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关于GaN Systems

GaN Systems提供多种氮化镓高功率晶体管，适用于消费电子、数据中心、工业与运输功率转换应用。这些器件具备极低的导通电阻与极小的电荷储存能力，可提供优于现有硅基解决方案的切换效率，并为开关电源设计、逆变器、混合动力汽车与电动车、电池管理及功率因子校正提供了显著的优势。

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