中国上海，2022年8月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。
新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。
东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。
- 应用：
- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
- 电动汽车充电站
- 光伏变频器
- 不间断电源（UPS）
- 特性：
- 单位面积导通电阻低（RDS(ON)A）
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）
- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V
- 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）
| 器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 库存查询与购买 | |||||||
| 漏极-源极电压 VDSS（V） | 栅极-源极电压 VGSS（V） | 漏极电流 （DC） ID（A） | 漏极-源极导通电阻 RDS(ON) 典型值（mΩ） | 栅极阈值电压 Vth（V） | 总栅极电荷 Qg 典型值（nC） | 栅极-漏极电荷 Qgd 典型值（nC） | 输入电容 Ciss 典型值（pF） | 二极管正向电压 VDSF典型值 （V） | |||
| @Tc＝25℃ | @VGS＝18V | @VDS＝10V | @VDS＝400V、 F＝100kHz | @VGS＝-5V | |||||||
| TW015N120C | TO-247 | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | -1.35 | 在线购买 |
| TW030N120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | 在线购买 | |||||
| TW045N120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | 在线购买 | |||||
| TW060N120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | 在线购买 | |||||
| TW140N120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | 在线购买 | |||||
| TW015N65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | 在线购买 | ||||
| TW027N65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | 在线购买 | |||||
| TW048N65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | 在线购买 | |||||
| TW083N65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | 在线购买 | |||||
| TW107N65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | 在线购买 |
注：
[1] 通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构，东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻（RDS(ON)A），同时降低JFET区域反馈电容的器件架构。
[2] MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。
[3] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[4] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。
如需了解相关新产品的更多信息，请访问以下网址：
1200V产品
TW015N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW015N120C
TW030N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW030N120C
TW045N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW045N120C
TW060N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW060N120C
TW140N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW140N120C
650V产品
TW015N65C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW015N65C
TW027N65C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW027N65C
TW048N65C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW048N65C
TW083N65C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW083N65C
TW107N65C
https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW107N65C
如需了解相关东芝SiCMOSFET的更多信息，请访问以下网址：
SiC功率器件
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html
SiCMOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfets.html
如需了解相关新产品在线分销商网站的供货情况，请访问以下网址：
1200V产品
TW015N120C
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TW030N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW030N120C.html
TW045N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW045N120C.html
TW060N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW060N120C.html
TW140N120C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW140N120C.html
650V产品
TW015N65C
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TW027N65C
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TW048N65C
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TW083N65C
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TW107N65C
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*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司23,100名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过7,110亿日元（62亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息，请访问以下网址：https://toshiba-semicon-storage.com
