性价比一流:英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET

  【2020年3月3日,德国慕尼黑讯】科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于开关应用而言,新推出的600 V CoolMOS  S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。CoolMOS  S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改进以及高脉冲电流能力,并且具备最高质量标准。该器件适合的应用包括有源桥式整流器、逆变极、PLC、功率固态继电器和固态断路器等。此外,10 m CoolMOS  S7 MOSFET是业界RDS(on)最小的器件。

性价比一流:英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET

  该产品系列专为低频率的开关应用而开发,旨在降低它们的导通损耗,确保响应速度最快和效率最高。CoolMOS  S7器件甚至实现了比CoolMOS  7产品更低的RDS(on) x A,因而能够成功地抵消开关损耗,最终实现导通电阻降低和成本节省。对于高压开关而言,CoolMOS  S7产品拥有市面上最低的导通电阻(RDS(on))。此外,10 mΩ芯片采用创新的顶面冷却QDPAK封装,22 mΩ芯片采用先进的小型TO无引脚(TOLL)SMD封装。这些MOSFET可助力实现经济、简化、紧凑、模块化和高效的设计。设计出来的系统可以轻松满足法规要求和能效认证标准(如适用于SMPS的Titanium?标准),也能满足功率预算,减少零部件数量和散热器需求,同时降低总拥有成本(TCO)。

  供货情况

  22 m 600 V CoolMOS  S7器件拥有TO无引脚封装和TO-220封装,40 m和65 m器件拥有TO无引脚封装。10 m CoolMOS  S7 MOSFET将在2020年第四季度上市。如欲了解更多信息,敬请访问 www.infineon.com/s7。

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发布日期:2020年03月03日  所属分类:新品推荐