东芝面向中大电流IGBT/MOSFET推出内置保护功能的光耦

  中国上海,2020年3月10日——电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET推出内置保护功能的光耦

  TLP5231产品示意图

  新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大和MOSFET。

  目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器,仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流,有助于降低功耗。

  通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小,TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求,从而简化设计。

  其他功能包括:在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”;另外,除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外,还有UVLO[3]检测,将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性,能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。

应用:

  ·IGBT与功率MOSFET栅极驱动(预驱动)

  ·交流电机和直流无刷电机控制

  ·工业逆变器与不间断电源(UPS)

  ·光伏(PV)电源调节系统

特性:

  ·内置有源时序控制的双输出,适用于驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。

  ·当检测到过流时,通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间。

  ·当监控集电极电压检测到过流时或UVLO时,故障信号会输出到一次侧。

主要规格:

  (除非另有说明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET推出内置保护功能的光耦

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET推出内置保护功能的光耦

注释:

  [1] 栅极信号软关断、故障反馈功能

  [2] TLP5214、TLP5214A

  [3] UVLO:欠压锁定

  [4] 常见VE

  

  • 东芝面向中大电流IGBT/MOSFET推出内置保护功能的光耦已关闭评论
    A+
发布日期:2020年03月13日  所属分类:新品推荐