中国上海,2023年8月17日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性,因此与标准系统相比,它们集成了更多的器件,需要更多的表贴空间。所以,要进一步缩小汽车设备的尺寸,需要能够在高电流密度下表贴的功率MOSFET。
XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用东芝的新型S-TOGLTM封装(7.0mm×8.44mm[1]),其特点是采用无接线柱结构,将源极连接件和外部引脚一体化。源级引脚的多针结构降低了封装电阻。
与具有相同热阻特性的东芝TO-220SM(W)封装产品[2]相比,S-TOGLTM封装与东芝U-MOS IX-H工艺相结合,可实现导通电阻显著降低11%。与TO-220SM(W)封装相比,新型封装还将所需的表贴面积减少了大约55%。此外,采用新型封装的产品可提供200A漏极额定电流,高于东芝类似尺寸的DPAK+封装(6.5mm×9.5mm[1])产品,从而实现了大电流。总体而言,S-TOGLTM封装可实现高密度和紧凑布局,缩小汽车设备的尺寸,并有助于实现高散热。
由于汽车设备可能在极端温度环境下工作,因此表面贴装焊点的可靠性是一个关键考虑因素。S-TOGLTM封装采用鸥翼式引脚,可降低表贴应力,提高焊点的可靠性。
当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时,东芝支持这两款新产品按栅极阈值电压分组出货[3]。这样可以确保设计使用同一组别的产品,从而减小特性偏差。
东芝将继续扩展其功率半导体产品线,并通过用户友好型、高性能功率器件为实现碳中和做出贡献。
- 应用
- 汽车设备:逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动等
- 特性
- 新型S-TOGLTM封装:7.0mm×8.44mm(典型值)
- 高额定漏极电流:
XPJR6604PB:ID=200A
XPJ1R004PB:ID=160A
- AEC-Q101认证
- 提供IATF 16949/PPAP[4]
- 低导通电阻:
XPJR6604PB:RDS(ON)=0.53mΩ(典型值)(VGS=10V)
XPJ1R004PB:RDS(ON)=0.8mΩ(典型值)(VGS=10V)
- 主要规格
新产品 | 现有产品 | ||||||
器件型号 | XPJR6604PB | XPJ1R004PB | TKR74F04PB | TK1R4S04PB | |||
极性 | N沟道 | ||||||
系列 | U-MOSIX-H | ||||||
封装 | 名称 | S-TOGLTM | TO-220SM(W) | DPAK+ | |||
尺寸(mm) | 典型值 | 7.0×8.44,厚度=2.3 | 10.0×13.0,厚度=3.5 | 6.5×9.5,厚度=2.3 | |||
绝对最大额定值 | 漏极-源极电压 VDSS(V) | 40 | |||||
漏极电流(DC) ID(A) | 200 | 160 | 250 | 120 | |||
漏极电流(脉冲) IDP(A) | 600 | 480 | 750 | 240 | |||
结温 Tch(℃) | 175 | ||||||
电气特性 | 漏极-源极导通电阻 RDS(ON)(mΩ) | VGS=10V | 最大值 | 0.66 | 1.0 | 0.74 | 1.35 |
结壳热阻 Zth(ch-c)(℃/W) | Tc=25℃ | 最大值 | 0.4 | 0.67 | 0.4 | 0.83 |
注:
[1] 典型封装尺寸,包括引脚。
[2] TKR74F04PB采用TO-220SM(W)封装。
[3] 东芝可以提供分组出货,每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V。但是不允许指定特定组别。请联系东芝销售代表了解更多信息。
[4] 请联系东芝销售代表了解更多信息。
如需了解有关新产品的更多信息,请访问以下网址:
XPJR6604PB
XPJ1R004PB
如需了解东芝车载MOSFET的更多信息,请访问以下网址:
车载MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/automotive-mosfets.html
*S-TOGLTM是东芝电子元件及储存装置株式会社的商标。
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
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