元器件型号:2SB1116

元器件型号:2SB1116

功能特点

产品名称:PNP晶体管

产品型号:2SB1116

产品参数:

Pcm(最大耗散功率):750mW

Ic(集电极电流):1000mA

BVcbo(集电极-基极击穿电压):60V

BVceo(集电极-发射极击穿电压):50V

BVebo(发射极-基极击穿电压):6V

hFE(电流放大倍数):Min:135,Max:600

VCE(sat)饱和压降:0.3V

fT(过渡频率):70MHz

封装:TO-92

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发布日期:2019年09月24日  所属分类:产品库