元器件型号:2SB1182

元器件型号:2SB1182

功能特点

产品名称:PNP晶体管

产品型号:2SB1182

产品参数:

Pcm(最大耗散功率):1500mW

Ic(集电极电流):2000mA

BVcbo(集电极-基极击穿电压):40V

BVceo(集电极-发射极击穿电压):32V

BVebo(发射极-基极击穿电压):5V

hFE(电流放大倍数):Min:82,Max:390

VCE(sat)饱和压降:0.8V

fT(过渡频率):100+MHz

封装:TO-252-2L

相关资料下载

元器件型号:2SB1182

  • 元器件型号:2SB1182已关闭评论
    A+
发布日期:2019年09月24日  所属分类:产品库