amd 的研发人员在日本京都举行的超大规模集成电路研讨会上详细介绍多种迄今性能最高的晶体管。由于晶体管是未来一代微处理器设计的基石，因此晶体管的开关速度越快，为客户提供的解决方案性能也会越高。
在大会上介绍的其中一批晶体管采用全空乏绝缘硅 (fdsoi) 技术，开关速度远比其他 p 沟道金属氧化半导体 (pmos) 晶体管高，即使与最近发表的晶体管比较，这批崭新晶体管的开关速度也快 30%。另一批在会上介绍的晶体管采用受压硅晶 (strained silicon) 及金属门技术，这种 n 沟道金属氧化半导体 (nmos) 晶体管可以发挥比采用传统受压硅晶技术的晶体管高 20-25% 的性能。新技术的性能有两位数百分比的提升，令amd改用 65 纳米 (nm) 以至更精密的工艺技术时可以有更多的选择，有更大的空间可以大幅提升晶体管的性能。
amd 最新推出的一批晶体管采用 amd 率先开发的新一代晶体管门技术。amd 的研发人员放弃业界普遍采用的多晶硅作为晶体管门的材料，改用另一种称为硅化镍的材料，为晶体管装设"金属门"。晶体管门负责控制流入晶体管的电流，这个开关功能令晶体管门成为晶体管的极为重要部分。
amd 将金属门与全空乏绝缘硅集成在一起，成功开发出一种全新的 pmos 晶体管，这种晶体管的独特之处是门导电性有大幅的提升，而且晶体管本身更提供适用的功函数以及具有更高的载体迁移率。由于这种 pmos 晶体管拥有这些优点，因此其开关速度比任何现有的 pmos 晶体管快 30% (以截至测试时所取得的公布资料为准)。上述晶体管性能的评等根据晶体管门的开关速度作为基准作比较，而有关晶体管性能的测试都按照业内标准的基准测试进行。
amd 结合金属门及受压硅晶技术而成功开发的 nmos 晶体管也拥有 pmos 晶体管的优点，例如门导电性的大幅提升、适用的功函数以及更高的载体迁移率，但除此之外， nmos 晶体管的受压硅晶层也有助进一步提高迁移率。根据直至测试时为止所公布的测试数字显示，这种晶体管的性能比采用传统受压硅晶技术的晶体管高 20 - 25%。
amd 的研究结果也显示采用硅化镍或其他金属门技术可以将晶体管进一步缩小，最终可能会打破 65 纳米工艺这个关口，使芯片的生产甚至可以采用更精密的工艺技术。金属门技术可以缩小氧化层的实际厚度，满足高性能晶体管对门氧化层的严格要求。
目前，绝缘硅晶体管的顶部有一层薄薄的硅晶层，而这层硅晶层之下是另一层有绝缘作用的氧化物。这层绝缘层确保电流只可在最顶层的硅晶层内流动，而不会泄漏到圆片衬底之内。
由于位于最顶的硅晶层很薄，因此有广阔的空间可以提升晶体管的性能。有多个原因可以解释这个现象，其中的一个原因是这一层硅晶层可以尽量消除会减低晶体管操作效率的不良电子特性。全空乏绝缘硅是一种比现有的绝缘硅更先进的技术，由于最顶的硅晶层远比传统的绝缘硅薄，因此可以发挥更高的性能。
由于受压硅晶晶体管的硅原子在"受压"下能够发挥更高的载体迁移率，令电流更为通畅，因此受压硅晶晶体管可以发挥更高的性能。最新的研究显示，绝缘硅及受压硅晶技术可以用于同一的工艺上，因此可以发挥相辅相成的作用。
