1、输入特性
图2 （b)是三极管的输入特性曲线，它表示ib随ube的变化关系，其特点是：1）当uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与uce 有关，但当uce高于2伏后，曲线uce基本无关通常输入特性由两条曲线（ⅰ和ⅱ）表示即可。
2）当ube＜uber时，ib≈o称（0～uber)的区段为“死区”当ube＞uber时，ib随ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。
3）三极管输入电阻，定义为:
rbe=(△ube/△ib)q点，其估算公式为：
rbe=rb+(β+1)(26毫伏/ie毫伏）
rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。
2、输出特性
输出特性表示ic随uce的变化关系（以ib为参数）从图2（c）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
截止区 当ube＜0时，则ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即ic=iceo称为穿透电流，常温时iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流icbo的关系是：
icbo=(1+β)icbo
常温时硅管的icbo小于1微安，锗管的icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，icbo数值增大一倍，虽然硅管的icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，ic随ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。
饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时，ic基本上不随ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。
截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，三极管和导通时，工作点落在饱和区，三极管截止时，工作点落在截止区。
