结晶体管（简称ujt）又称基极二极管，它是一种只有一个pn结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻n型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个p区作为发射极e。一、单结晶体管的特性
从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：
rbb=rb1+rb2
式中：rb1----第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是pn结，与二极管等效。
若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压vbb，则a点电压为：
va=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηvbb
式中：η----称为分压比，其值一般在0.3---0.85之间，如果发射极电压ve由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性
二、单结晶体管的主要参数
（1）基极间电阻rbb 发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。
（2）分压比η 由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。
（3）eb1间反向电压vcb1 b2开路，在额定反向电压vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。
（4）反向电流ieo b1开路，在额定反向电压vcb2下，eb2间的反向电流。
（5）发射极饱和压降veo 在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。
（6）峰点电流ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流
