用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个pn结，就构成了晶体管。结构如图(a)所示，位于中间的p区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的n区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的n区是集电区，面积很大；它们分别引出电极为基极b, 发射极e和集电极c。
结构示意图如图（b）所示，发射区与基区的pn结称为发射结，基区与集电区间的pn结称为集电结。
图（c）为npn型管和pnp型管的符号。
1．3．2 晶体管的电流放大作用
如右图所示为基本放大电路， 为输入电压信号，它接入基极-发射极回路，称为输入回路；放大后的信号在集电极-发射极回路，称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。
晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反向偏置，所以输入回路加的基极电源 和输出回路加的集电极电源 极性如图所示。
一、晶体管内部载流子的运动
=0时，晶体管内部载流子运动示意图如下图所示。
1．发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流
因为发射结加正向电压，发射区杂质浓度高，所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区。与此同时，空穴也从基区向发射区扩散，由于基区杂质浓度低，空穴形成的电流非常小，忽略不计。可见，扩散运动形成了发射极电流 。
2．扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流
由于基区很薄，杂质浓度很低，集电结又加反向电压，所以扩散到基区的电子中只有极少部分与空穴复合，其余部分均作为基区的非平衡少子达到集电结。又由于电压 的作用，电子与空穴的复合运动将源源不断进行，形成基极电流 。
3．集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流
由于集电结加反向电压且其结面积较大，基区的非平衡少子在外电场作用下越过集电结到达集电区，形成漂移电流。可见，在集电极电源 的作用下，漂移运动形成集电极电流 。
二、晶体管的电流分配关系
发射区向基区扩散形成的电子电流为 ，基区向发射区扩散形成的空穴电流为 ，基区内复合运动形成的电流为 ，基区内非平衡少子漂移到集电区形成的电流为 ，平衡少子在集电区与基区之间的漂移运动形成的电流为 。
= + = + +
= +
= + - = -
从外部看 = +
三、晶体管的共射电流放大系数
电流 与 之比称为共射直流电流放大系数 。
穿透电流 指当基极开路时，在集电极电源作用下的集电极与发射极之间形成的电流。集电结反向饱和电流 指发射极开路时，集电结的反向饱和电流。一般情况下， ， ，所以
若有输入电压 作用，则晶体管的基极电流将在 基础上叠加动态电流 ，集电极电流也将在 基础上叠加动态电流 ， 与 之比称为共射极交流电流放大系数 。
通过认为
当以发射极电流作为输入电流，以集电极电流作为输出电流时， 与 之比称为共基直流电流放大系数 。
共基交流电流放大系数 为
经推导可得，
