达林顿晶体管dt（dar1ingtontransistor）亦称复合晶体管。它采用复合过接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成，最后引出e、b、c三个电极。
图1是由两只npn或pnp型晶体管构成达林顿管的基本电路。假定达林顿管由n只晶体管（ti-tn）组成，每只晶体管的放大系数分别这hfe1、hfe2、hfen。则总放大系数约等于各管放大系数的乘积：
hfe≈hfe1·hfe2……hfen
因此，达林顿管具有很高的放大系数，值可以达到必千倍，甚至几十万倍。利用它不仅能构成高增益放大器，还能提高驱动能力，获得大电流输出，构成达林顿功率开关管。在光电耦合器中，也有用达林顿管作为接收管的。达林顿管产品大致分成两类，一类是普通型，内部无保护电路，另一类则带有保护电路。下面分别介绍使用万用表检测这两类达林顿管的方法。
1．普通型达林顿管的检测方法
因为达林顿管的e-b电极之间包含多个发射结，所以必须选择万用表r×10k档进行检测，该档可提供较高的测试电压。检测内容包括：①识别电极；②区分npn型、pnp型；③检查放大能力。下面通过一个实例来阐述测试方法。
被测管为美国motoro1a公司生产的mpsa6266型达林顿管，它属于***率、低噪声硅达林顿管，外形如图2所示。主要电参数为：hfe=5000-200000，pcm=600mw，噪声系数nf＜2db。采用塑料封装形式。
为叙述方便,现分别为三只脚管编上序号①、②、③（参见图2）。选择500型万用表r×10k档。由附录四中查出该档电压比例系数k′=0.18v/格，采用读取电压法时的计算公式为v=0.18n′(v)；电压比例系数k=1.8μa/格，读取电流法计算公式是i=1.8n(μa)。全部测量数据整理成表1。表是带括弧量为测试结论。
分析表1可以判定②为基极，并且被测管属于pnp型。下面进一步识别e、c电极，同时检查管子的放大能力。首先将黑表笔接①，红表笔接③，并用两手分别捏住①、③两脚，电阻值为450kω；当用舌舔基极时，可以观察到表针向右侧作大幅度偏转，指于35kω处。然后交换两支表笔的位置，再用舌舔基极时，发现表针不动。由此判定：①为发射极，③为集电极，并且此管的放大能力很强。穿透电流iceo=9μa。
注意事项：不宜用r×1k档检查达林顿管的放大能力。因该档电池电压仅1.5v，很难使管子进入放大区工作。测量时不得用手摸住管壳。
2．改进型达林顿管
普通型达林顿管仍有不足之处。由于其电流增益很高，当温度升高时，前级晶体管的发射结漏电流①将被逐级放大。又因为此电流具有正温度系数，所以器件的热稳定性较差。当环境温度升高、漏电严重时，有可能导致管子误导通现象发生。
改进型达林顿管增加子保护功能，典型电路如图3所示。(a)图为npn型，(b)图为pnp型。这类管子在c-e极之间反向并联一只过压保护二极管d（亦称续流二极管）。当负载（例如继电器线圈）突然断电时，可将反向电动势泄放掉，防止内部晶体管被击穿。此外，t1、t2的发射结上还分别并入电阻r1、r2。d、r1和r2全部集成于单片达林顿管之中。
r1、r2是泄放电阻，可以为漏电流提供泄放支路。图t1的发射结漏电流较小，故r1的阻值可适当大些。由于的漏电流经过放大后加至t2的基极上，加之t2本身亦存在漏电流，使得t2发射结上的漏电流较大，因此应降低r2的阻值，以满足r1>>r2的关系。设计时通常取r1为几千欧，r2为几十欧，二者相差两个数量级。
还应指出，由于增加了电阻r1、r2，测出的c-e极间击穿电压（v(br)ceo）已变成集电极-基极击穿电压值。
鉴于器件内部电路中包含d、r1、r2，所以在用万用表检测时必须注意以下事项，所免造成误判断：
第一：在b-c之间的pn结，应具有单向导电性，用读取电压法可测量vbc正向电压值。
第二：在b-e之间有两个pn结，而且并联着电阻r1、r2。由万用表r×10k档提供正向电压时，借助于读取电压法可测出vbe值，并且vbe＞vbc；施以反向电压时，发射结截止，测出的就是(r1+r2)电阻之和，大约为几千欧，且阻值恒定，不随电阻档而改变。
第三：在e-c极间并有保护二极管d，因此当e-c间加反向电压时，二极管应导通，采用读取电压法可测其正向压降vf值。
检测放大能力的方法与前面介绍的相同，不再赘述。
注意事项：
某些改进行达林顿管还在r1、r2各并联一只二极管d2、d3，当b-e之间加反向电压时，测出的就不是(r1+r2)电阻之和，而是两只二极管的正向压降之和(vf2+vf3)。
