绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个p型层。根据国际电工委员会iec／tc（co)1339文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。
图2－53所示为一个n沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，n+区称为源区，附于其上的电极称为源极。n+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的p型区（包括p+和p一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（subchannelregion）。而在漏区另一侧的p+区称为漏注入区（draininjector），它是igbt特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成pnp双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
为了兼顾长期以来人们的习惯，iec规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。
igbt的结构剖面图如图2－53所示。它在结构上类似于mosfet，其不同点在于igbt是在n沟道功率mosfet的n+基板（漏极）上增加了一个p+基板（igbt的集电极），形成pn结j1，并由此引出漏极、栅极和源极则完全与mosfet相似。
由图2－54可以看出，igbt相当于一个由mosfet驱动的厚基区gtr，其简化等效电路如图2－55所示。图中rdr是厚基区gtr的扩展电阻。igbt是以gtr为主导件、mosfet为驱动件的复合结构。
n沟道igbt的图形符号有两种，如图2－56。所示。实际应用时，常使用图2－56b所示的符号。
对于p沟道，图形符号中的箭头方向恰好相反，如图2－57所示。
igbt的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时，mosfet内形成沟道，并为pnp晶体管提供基极电流，从而使igbt导通，此时，从p+区注到n一区进行电导调制，减少n一区的电阻rdr值，使高耐压的igbt也具有低的通态压降。在栅极上加负电压时，mosfet内的沟道消失，pnp晶体管的基极电流被切断，igbt即关断。
正是由于igbt是在n沟道mosfet的n+基板上加一层p+基板，形成了四层结构，由pnp－npn晶体管构成igbt。但是，npn晶体管和发射极由于铝电极短路，设计时尽可能使npn不起作用。所以说，igbt的基本工作与npn晶体管无关，可以认为是将n沟道mosfet作为输入极，pnp晶体管作为输出极的单向达林顿管。
采取这样的结构可在n一层作电导率调制，提高电流密度。这是因为从p+基板经过n+层向高电阻的n--层注入少量载流子的结果。igbt的设计是通过pnp－npn晶体管的连接形成晶闸管
