1、bjt内部载流子的传输过程
bjt工作于放大状态的基本条件：发射结正偏、集电结反偏。
在外加电压的作用下， bjt内部载流子的传输过程为：
（1）发射极注入电子
由于发射结外加正向电压vee，因此发射结的空间电荷区变窄，这时发射区的多数载流子电子不断通过发射结扩散到基区， 形成发射极电流ie，其方向与电子流动方向相反，如图3.2所示。
（2）电子在基区中的扩散与复合
由发射区来的电子注入基区后， 就在基区靠近发射结的边界积累起来， 右基区中形成了一定的浓度梯度，靠近发射结附近浓度最高，离发射结越远浓度越小。因此， 电子就要向集电结的方向扩散，在扩散过程中又会与基区中的空穴复合，同时接在基区的电源vee的正端则不断从基区拉走电子， 好像不断供给基区空穴。电子复合的数目与电源从基区拉走的电子数目相等， 使基区的空穴浓度基本维持不变。这样就形成了基极电流ib， 所以基极电流就是电子在基区与空穴复合的电流。 也就是说， 注人基区的电子有一部分未到达集电结， 如复合越多， 则到达集电结的电子越少， 对放大是不利的。 所以为了减小复合，常把基区做得很薄 (几微米)，并使基区掺入杂质的浓度很低，因而电子在扩散过程中实际上与空穴复合的数量很少， 大部分都能到达集电结。
（3）集电区收集电子
集电结外加反向电压，其集电结的内电场非常强，且电场方向从c区指向b区。使集电区的电子和基区的空穴很难通过集电结，但对基区扩散到集电结边缘的电子却有很强的吸引力， 使电子很快地漂移过集电结为集电区所收集，形成集电极电流ic。 与此同时，集电区的空穴也会在该电场的作用下，漂移到基区， 形成很小的反向饱和电流icb0 。
2、电流分配关系
与正向偏置的二极管电流类似，发射极电流ie与vbe成指数关系：
集电极电流ic是ie的一部分，即：
式中β称为bjt的电流放大系数
