１.共射极电路的特性曲线
（1）输入特性
vce=0v时，b、e间加正向电压，这时发射结和集电结均为正偏，相当于两个二极管正向并联的特性。
vce≥1v时，这时集电结反偏，从发射区注入基区的电子绝大部分都漂移到集电极，只有小部分与空穴复合形成ib。 vce>1v以后，ic增加很少，因此ib的变化量也很少，可以忽略vce对ib的影响，即输入特性曲线都重合。
注意:发射结开始导通的电压vbe：0.6v~0.7v(硅管)，0.1~0.3v(锗管)
（2）输出特性曲线
对于一确定的ib值，ic随vce的变化形成一条曲线，给出多个不同的ib值，就产生一个曲线族。如图3.6所示。
① ib = 0v， ic=iceo bjt截止，无放大作用，因此对应ib=0的输出特性曲线以下的区域称为截止区如图3.6所示。
② ib﹥0 ， vce<1v ，ic随ib的变化不遵循的规律，而且ic随vce的变化也是非线性的，所以该区域称为饱和区。
③ ib﹥0、vce≥1v，ic随ib的变化情况为：
或
在这个区域中ic几乎不随vce变化，对应于每一个ib值的特性曲线都几乎与水平轴平行，因此该区域称为线性区或放大区。
