一、产品概述
薄膜晶体管液晶显示器(tft-lcd)是液晶显示器中最重要的一种,其产值和影响力在液晶显示器家族中有着举足轻重的地位。广泛应用于电视机、笔记本电脑、监视器、手机等各个方面。tft-lcd根据薄膜晶体管材料的不同，又分为非晶硅tft（a-si tft）、多晶硅（p-si tft）和单晶硅mosfet（c-si mosfet）,后者形成的lcd被用于lcos（liquid crystal on silcon）技术。
tft-lcd技术是微电子与液晶显示巧妙结合的一种技术。人们将在si上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行tft阵列的加工，再与业已成熟的lcd技术相结合，以求不断提高产品品质，增强自动化大规模生产能力，提高合格率，降低成本，使其性能/价格比不断向crt逼近。
有源矩阵驱动的概念应追溯到1971年,由rca的lechner等人为克服无源lcd器件（如tn-lcd、stn-lcd）存在的对比度低、显示容量小等缺点而提出的设想。但真正的tft开发工作是在英国dundee大学进行的。1981年snell等人在世界上首次试制成功了5x7点阵的tft-lcd。随后日本等国迅速开展研究工作,相继推出tft-lcd产品并开始商业化。1993年开始，tft-lcd开始进入大量生产的全盛时期。
二、工作原理
在tft-lcd中，tft的功能就是一个开关管。常用的tft是三端器件。在玻璃基板上制作半导体层，在两端有与之相连接的源极和漏极。并通过栅极绝缘膜，与半导体相对置，利用施加于栅极的电压来控制源、漏电极间的电流。
对于显示屏来说，每个像素从结构上可以看作为像素电极和共同电极之间夹一层液晶。更重要的是从电的角度可以把它看作电容。其等效电路为图1所示。要对j行i列的像素p（i,j）充电，就要把开关t（i,j）导通，对信号线d（i）施加目标电压。当像素电极被充分充电后，即使开关断开，电容中的电荷也得到保存，电极间的液晶分子继续有电场作用。数据（列）驱动器的作用是对信号线施加目标电压，而栅极（行）驱动器的作用是起开关的导通和断开。由于加在液晶层上的电压可存储使液晶层能稳定地工作。这个显示电压通过tft也可在短时间内重新写入，因此，即使对高清晰度lcd，也能满足图像品质要求。
显示图像的关键还在于液晶在电场作用下的分子取向。一般通过对基板内側的取向处理，使液晶分子的排列产生希望的形变来实现不同的显示模式。在电场作用下，液晶分子产生取向变化，并通过与偏振片的配合，使入射光在通过液晶层后强度发生变化。从而实现图像显示。
tft-lcd与无源tn-lcd、stn-lcd的简单矩阵不同，它在液晶显示屏的每一个象素上都有一个薄膜晶体管（tft），可有效地克服非选通时的串扰，使之显示液晶屏的静态特性与扫描线数无关，因此大大提高了图像质量。而开关单元（即tft）的特性，则要满足通态电阻低，闭态电阻非常大这一要求。
tft-lcd彩色化则一般是通过加一层彩色滤光片，在显示器的前面板上实现。它要求在每个像素上制作红、绿、蓝三色和遮光用黑矩阵。
三、工艺技术
tft-lcd的制造工艺有以下几部分：在tft基板上形成tft阵列；在彩色滤光片基板上形成彩色滤光图案及ito导电层；用两块基板形成液晶盒；安装外围电路、组装背光源等的模块组装。
1. 在tft基板上形成tft阵列的工艺
现已实现产业化的tft类型包括：非晶硅tft（a-si tft）、多晶硅tft（p-si tft）、单晶硅tft(c-si tft)几种。目前使用最多的仍是a-si tft。
a-si tft的制造工艺是先在硼硅玻璃基板上溅射栅极材料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案。一般掩膜曝光用步进曝光机。第二步是用pecvd法进行连续成膜，形成sinx膜、非掺杂a-si膜，掺磷n+a-si膜。然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成tft部分的a-si图案。第三步是用溅射成膜法形成透明电极（ito膜），再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案。第四步栅极端部绝缘膜的接触孔图案形成则是使用掩膜曝光及干法蚀刻法。第五步是将al等进行溅射成膜，用掩膜曝光、蚀刻形成tft的源极、漏极以及信号线图案。最后用pecvd法形成保护绝缘膜，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形，(该保护膜用于对栅极以及信号线电极端部和显示电极的保护)。至此，整个工艺流程完成。
tft阵列工艺是tft-lcd制造工艺的关键,也是设备投资最多的部分。整个工艺要求在很高的净化条件（例如10级）下进行。
2. 在彩色滤光片（cf）基板上形成彩色滤光图案的工艺
彩色滤光片着色部分的形成方法有染料法、颜料分散法、印刷法、电解沉积法、喷墨法。目前以颜料分散法为主。
颜料分散法的第一步是将颗粒均匀的微
