IBM:PCM内存技术突破

pcm的突出优势在于,可以比闪存快100倍的速度读写数据,不但可提高存储容量,而且在电源关闭时也不会丢失数据。与闪存不同的是,pcm还很耐用,可承受至少1000万次写周期,而目前的企业级闪存只能达到3万次写周期,消费类闪存更是只有3000次。

ibm研究院苏黎世研究中心表示:随着组织和消费者日益接受云计算模式和服务,因此大多数的数据存储和处理都在云中进行,需要更强大和更高效,但价格合理的存储技术。

虽然ibm在内存技术上取得突破,但该公司不会很快改变这个世界。一方面ibm还未计划自己开发任何相关产品,另一方面也未准备向第三方提供专利授权。预计在2016年前都不会出现pcm产品,届时闪存技术的发展可能将pcm的优势消弭于无形。ibm研究院的科学家实现了内存技术的突破,开发出多位相变存储器(pcm)。这种技术可在单个存储单元中长期稳定存储多数据位,速度比当前普遍使用的闪存快100倍,为开发低成本、速度更快、更耐用的内存铺平了道路。

IBM:PCM内存技术突破

pcm结合了快速、耐用、非易失性和高密度等特点,可在未来五年里为企业it和存储系统带来范式转移。长期以来,科学家们一直在开发通用的、非易失性、性能远优于闪存的技术。这种技术的好处是允许电脑和服务器在瞬间启动,并显著提升it系统的整体性能。不过这种技术的商业应用还很遥远。f244

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发布日期:2019年07月02日  所属分类:参考设计