灿芯半导体：arm cortex-a9双核测试芯片采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺，大幅缩短了整个芯片设计时间，并且降低了开发成本与流片风险，这一系列工艺技术和设计上的优化措施将推动高性能的 cortex-a9处理器快速面市。我们很高兴在处理器内核及其优化实现上与 arm 及中芯国际建立紧密的合作伙伴关系，该测试芯片的顺利流片再次证明了三家公司合作的成功。有了 arm 和中芯国际的支持，我们必将为需要高性能 arm 内核的客户带来巨大价值。
中芯国际：通过与 arm 和灿芯的密切合作，中芯国际能够为客户提供一个快速实现从设计到生产的完整平台。我们十分重视与灿芯、arm 的合作伙伴关系。也正因为他们的努力，我们才能达成此40纳米技术的重要里程碑，这对我们‘为客户提供最先进的制程技术’的共同承诺是最有力的证明。中芯国际40纳米技术结合 arm cortex-a9处理器和灿芯的设计流程，将有助于满足高性能和低功耗消费电子产品日益增长的需求。
arm 中国区：在中国，arm 坚持致力于与合作伙伴共同努力，创造一个推动创新与成长的生态系统。这个与灿芯半导体、中芯国际共同创造的重要里程碑，证明了通过我们的合作，可以承诺并最终实现以高性能、低功耗的产品，来更快地满足市场不同领域的需求。
灿芯半导体（上海）有限公司（简称“灿芯半导体”）与中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）及 arm 日前联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的 arm ® cortex™-a9 mpcore™ 双核测试芯片首次成功流片。
该测试芯片基于 arm cortex-a9 双核处理器设计，采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器使用了一个集 32k i-cache 和 32k d-cache，128 tlb entries，neon™ 技术，以及包括调试和追踪技术的 coresight™ 设计套件。除高速标准单元库，该测试芯片还采用高速定制存储器和单元库以提高性能。设计规则检测之签核流程（sign-off）结果已达到900mhz（wc），预计2012年第二季度流片结束后，实测结果将达到1.0ghz。
